GeSi/Ti、C中间层诱导固相外延生长CoSi及其特性研究

摘要

该论文研究Co/a-GeSi/Ti/Si(100)和Co/a-C/Si(100)两种新结构外延生长CoSi<,2>薄膜的中间层诱导固相外延(IMSPE)新技术.研究了多层薄膜的固相外延过程及机制,所形成CoSi<,2>薄膜的晶体结构,电学、热学性能,中间层的作用以及各原子的扩散运动.取得以下主要结果:——研究了Co/a-GeSi/Ti/Si(100)多层薄膜的IMSPE技术.——研究了Co/a-GeSi/Ti/Si结构IMSPE中,非晶GeSi中间层的作用.——比较了Co/a-GeSi/Ti/Si(100)和Co/GeSi/Ti/Si(100)结构固相反应形成薄膜的晶体结构.——研究了Co/a-C/Si(100)多层薄膜IMSPE技术.——研究了在Co/a-GeSi/Ti/Si(100)和Co/C/Si(100)两种结构固相外延机制.

目录

文摘

英文文摘

第一章文献综述

1.1 VLSI/ULSI发展趋势

1.2 CoSi2的特性及应用

1.2.1金属硅化物

1.2.2外延CoSi2的特性

1.2.3外延CoSi2的应用

1.2.4晶格失配

1.3外延CoSi2薄膜的制备技术

1.3.1外延CoSi2的生长条件

1.3.2制备外延CoSi2的不同方法

1.3.3中间层诱导固相外延方法(IMSPE)

1.4实验手段、设备及测试方法

1.4.1样品制备

1.4.2测试方法

1.5本文的研究内容及论文结构

参考文献(1)

第二章 Co/GeSi/Ti/Si(100)结构固相反应COSi2/Si(100)异质外延研究

2.1 引言

2.2 Co/GeSi/Ti/Si固相反应及外延机理研究

2.2.1样品结构

2.2.2 Co/GeSi/Ti/Si结构固相反应生长外延CoSi2

2.2.3 Co/Ti/GeSi/Si结构固相反应研究

2.2.4超薄Co/GeSi/Ti/Si结构特性研究

2.3小结

参考文献(2)

第三章Co/C/si(100)结构外延生长COSi2的固相反应和特性研究

3.1引言

3.2 Co/C/Si结构制备外延CoSi2实验结果

3.2.1样品结构

3.2.2电导特性及热稳定性

3.2.3 Co(15nm)/C(1nm)/Si(100)固相反应CoSi2薄膜晶体结构

3.2.4 Co(4nm)/C(1nm)/Si(100)固相反应CoSi2薄膜晶体结构和原子分布情况

3.2.5 C中间层的作用

3.3小结

参考文献(3)

第四章总结

致谢