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康俊勇; 黄启圣;
厦门大学物理系;
晶体生长; 掺碲; 半导体; 单晶; 锑化铟; 凝固生长;
机译:温度梯度区熔解InSb单晶生长机理
机译:用于热电应用的垂直Bridgman生长的碲化铋(Bi_2Te_3)单晶的晶体完善和力学研究
机译:熔体温度和凝固时间对滴管法形成InSb单晶细颗粒的影响
机译:掺锡InSb单晶薄膜磁阻器件在齿轮转速检测中的应用
机译:掺Er(3+)钒酸钇钇单晶的光谱,晶体场分析,上转换和能量转移研究。
机译:掺Er3 +的氟氧化物碲酸盐玻璃中红外发射特性和能量转移动力学研究
机译:掺金纳米粒子的掺ped碲锌锌玻璃的光谱研究
机译:熔体垂直凝固生长大直径单晶
机译:垂直温度梯度法在GaAs单晶生长过程中改变隔室的肩角来制造高质量GaAs单晶的方法
机译:掺氧碲化锌单晶制备。 -通过在氧气气氛中进行热处理
机译:只能施加轴向磁场的垂直温度梯度冷却和垂直电桥化合物半导体单晶生长器件
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