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蹇芳;
株洲时代电子技术有限公司;
变频器; IGBT; 浪涌电压; 吸收电路; 分布电感;
机译:使用基于2D物理的器件仿真的分步方法来分析短路和关断感应条件下的IGBT故障机理
机译:具有抑制栅极电压的新型沟槽栅极U形通道SOI横向IGBT的仿真研究,抑制栅极电压过冲和减少<斜斜度> di / dt 斜体>
机译:抑制Shin-Shinano变频器站的变压器和AC滤波器浪涌电流引起的临时过电压
机译:IGBT的最佳双面栅极控制,可降低关断损耗和抑制浪涌电压
机译:非钳位感性负载条件下IGBT关断故障的综合研究
机译:低关断损耗的4H-SiC沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真研究
机译:IGBT的最佳双面栅极控制,可降低关断损耗并抑制浪涌电压
机译:电力线滤波器和瞬态电压抑制器的陡前短时电压浪涌测试。
机译:IGBT的浪涌电压抑制电路
机译:IGBT的浪涌电压抑制电路和过电流中断电路
机译:通过降低栅极发射极电压(例如)降低功率半导体开关的关断性能优化方法IGBT分为两个阶段
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