聚合物先驱体热解制备超长SiC纳米线

摘要

采用聚合物先驱体热解技术,以聚合物先驱体—聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)为原料,在催化剂辅助作用下,于1200℃热解制备出超长碳化硅(SiC)纳米线。采用电子能量散射(EDS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等分析手段对SiC纳米线进行了表征。结果表明,所制备的纳米线为高结晶性β-SiC,纳米线直径约为30 nm～300 nm,长度可达数毫米。利用"气—固"生长机制对SiC纳米线的生长过程进行了分析。