X射线分析温度对ITO膜结构与电性能的影响

摘要

在不同温度基片上采用阴极磁控溅射法在玻璃上镀 ITO透明导电膜 ,采用 X射线衍射技术分析样品的结构随温度的变化情况 ,测量了样品的方块电阻、电阻率、霍尔迁移率、载流子浓度等电学性能和膜层的可见光透过率。基片温度为 180℃时 ,ITO膜 (2 2 2 )衍射峰很强 ,具有 [111]方向择优取向 ,随基片温度升高 ,(4 0 0 )、(4 40 )衍射峰增强 ,晶面随机取向增加 ,同时晶粒变大。