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余学峰; 严荣良; 张国强; 郭旗; 陆妩; 任迪远; 宋钦歧; 赵元富;
中国科学院新疆物理研究所;
骊山微电子学研究所;
PMOSFET; 电离辐射; 退火; 注氟加固; MOS器件;
机译:地氟醚,七氟醚和丙泊酚输注对腹腔镜胃条带的血液动力学效应和出现时间
机译:热载流子效应与纳米SOI pMOSFET中硅膜厚度的关系
机译:具有超薄N_2O退火的SiN栅极电介质的深亚微米应变Si_(0.85)Ge_(0.15)沟道p沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)
机译:MOSFET器件中电离辐射效应与负偏压温度不稳定性(NBTI)之间的相似性
机译:低频和低强度超声的协同杀菌效应与左右氟甲酰胺加载的PLGA纳米粒子联合在巨噬细胞中的M. Smogmatis上
机译:高压绝缘栅场效应晶体管中电离辐射诱导缺陷的退火
机译:全固化环氧树脂的退火研究:热史前效应,退火时间和温度的影响
机译:自退火导线的方法,将晶粒尺寸效应与合金迁移率区分开
机译:将扩散效应与弛豫时间解耦的方法,以确定包含流体的多孔介质的性能
机译:将扩散效应与弛豫时间解耦的方法,以确定包含流体的多孔介质的性质以及这些性质的多维表示
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