基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法

桂立; 尹韶云; 蔡文涛; 孙秀辉; 杜春雷; 丁学专

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基于精确的LED光源近场模型,提出了一种LED光学扩展量测量方法.通过追迹LED近场光源模型中的光线数据,可获得LED光功率关于光学扩展量的关系曲线,直观反映出LED光源的光学扩展量特性和光能利用率等信息.以紫外曝光系统中的UV-LED阵列面光源为例,对三款不同型号的UV-LED进行了实际测量.通过测量得到的光学扩展量和光能利用率曲线,可以对UV-LED的光束质量作出判断,并为阵列面光源的优化设计提供帮助.

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来源
《光子学报》 |2017年第1期|176-181|共6页
作者
桂立; 尹韶云; 蔡文涛; 孙秀辉; 杜春雷; 丁学专;
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作者单位

中国科学院重庆绿色智能技术研究院集成光电技术研究中心;

中国科学院上海技术物理研究所红外探测与成像技术重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类光度学（测光学）;
关键词
非成像光学; 光学扩展量; 光源近场; 发光二极管; 光学设计;

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