8-羟基喹啉铝处于SiO_2气凝胶纳米孔中的光谱特性研究

朱浩; 丁维平; 郭学锋; 都有为

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制备了块状的SiO2 气凝胶 ,把具有很好电致发光 (EL)和光致发光 (PL)性能的 8-羟基喹啉铝渗入到气凝胶的纳米孔洞中 .可见 -紫外吸收光谱表明 8-羟基喹啉铝在SiO2 气凝胶的纳米孔洞中发生了化学吸附 ,且吸附作用随着气凝胶密度的减小而增强 ;PL谱中 8-羟基喹啉铝的光致发射谱峰从 4 70nm移至 4 50nm .

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来源
《南京大学学报：自然科学版》 |2000年第4期|427-430|共4页
作者
朱浩; 丁维平; 郭学锋; 都有为;
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作者单位

南京大学物理系国家固体微结构重点实验室;

南京大学化学化工学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O648.124;
关键词
气凝胶; 纳米孔洞; 化学吸附; 二氧化硅; 光谱分析;

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