电沉积制备CuInGaSe_2薄膜及性能

摘要

利用电沉积方法制备出CuInGaSe2薄膜,对制备的薄膜硒化退火以提高薄膜的化学计量比。通过X射线能量色散谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及四探针方法对制备的薄膜进行组成成分、微观结构、表面形貌和导电类型进行分析,结果表明制备的薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,具有较高的光吸收系数,导电类型均为n型。