铜掺杂碳膜的蒙特卡罗模拟及其电学特性的计算(英文)

摘要

采用蒙特卡罗的方法模拟了铜掺杂碳膜的淀积过程。首先建立空间网格结构，通过在网格结构上随机降落原子来模拟薄膜的淀积过程。薄膜的电学特性通过解泊松方程来计算。仿真结果表明，薄膜表面的粗糙程度随着碳含量的上升而下降；含碳量为20％～25％的薄膜电阻很低而含碳量在60％～75％的薄膜电阻则很高。仿真结果与现有实验结果高度吻合，保证了仿真的正确性。