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启明;
脉冲激光沉积法; 均匀材料; 美国橡树岭国家实验室; 非晶膜; 制备; 外延生长; 沉积速度; 非晶态; GaAs;
机译:脉冲激光沉积制备P型超纳米晶金刚石/氢化非晶碳复合膜及其在光电探测器中的应用
机译:脉冲激光沉积制备的氮掺杂超纳米晶金刚石/氢化非晶碳复合膜的近边缘X射线吸收精细结构光谱研究
机译:勘误表:“通过脉冲激光沉积制备的氮掺杂超纳米晶金刚石/氢化非晶碳复合膜”
机译:通过脉冲激光沉积制备的超晶金刚石/氢化非晶碳复合膜N型电导率的氮化作用
机译:低应力非晶碳膜的脉冲激光沉积工艺及其表征。
机译:通过脉冲激光沉积制备具有可调光学性能的超均匀Pb0.865La0.09(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜
机译:通过施加脉冲负偏压通过脉冲激光沉积制备非晶类金刚石碳膜
机译:脉冲激光(arF)激光烧蚀石墨沉积非晶金刚石薄膜的复介电常数
机译:氧化物的制备方法,非晶氧化物膜的沉积方法和非晶钽氧化物膜的沉积方法
机译:P型半导体氧化锌膜的制备方法以及使用透明基板的脉冲激光沉积法
机译:氢化非晶碳膜的沉积工艺,以及涂覆有氢化非晶碳的氢化非晶碳膜的制品
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