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黄润华; 李理; 陶永洪; 刘奥; 陈刚; 李赟; 柏松; 栗锐; 杨立杰; 陈堂胜;
南京电子器件研究所;
微波毫米波单片和模块电路重点实验室;
4H型碳化硅; 结势垒肖特基二极管; 终端保护; 保护环;
机译:钌与碳化硅的固相反应及其作为高温运行肖特基二极管的肖特基接触的意义
机译:电气热耦合考虑碳化硅合并塞肖特基二极管的比较研究
机译:作为光敏肖特基二极管的CD(II),作为光敏肖特基二极管:实验和理论研究
机译:碳化硅肖特基二极管的关态损耗研究
机译:碳化硅肖特基二极管和p-i-n二极管中缺陷电学特性的研究。
机译:D-T聚变中子检测中碳化硅肖特基二极管检测器的抗辐射性
机译:电子辐射剂量对半波整流和碳化硅肖特基二极管性能的影响
机译:碳化硅(siC)肖特基二极管和siC金属氧化物半导体的脉冲电容测量
机译:碳化硅肖特基二极管包括形成在包含氢-碳化硅的碳化硅外延体的硅面上的肖特基金属势垒(包括钛)。
机译:碳化硅阻挡层-肖特基二极管,在碳化硅层的区域中具有深度和距离的沟槽,使得在肖特基-过渡-边界表面处的电场强度等于或小于特定值
机译:半导体器件肖特基二极管,具有在n型碳化硅衬底上形成的肖特基电极,该肖特基电极电连接到P型阱区域上方的键合线
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