MOCVD低温外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究

摘要

以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底低温下成功生长出高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度、载气流量及反应源的流量等参数研究了生长条件对薄膜性质的影响。研究结果表明,在温度500℃时薄膜的取向性和结晶性能最佳,但发光性质不如200℃生长的样品。随载气流量从1.2～2.0slm增加的过程中,薄膜的结晶和发光性能逐渐提高。此外合适的源流量对薄膜质量的提高起到关键作用。