微电子所在黑硅电池研究中取得进展

摘要

近日,中国科学院微电子研究所四室研究员贾锐的科研团队在新型黑硅电池研究方面取得新进展。 黑硅具有良好的陷光特性和极低的光反射率（〈1%）,在高效率、低成本晶体硅电池方面有着重要的产业化应用前景,是国际关注的研究热点领域。目前,黑硅太阳能电池效率提升存在诸多瓶颈,