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魏同波; 王军喜; 李晋闽; 刘喆; 段瑞飞;
中科院半导体研究所;
GaN; MOCVD; 形貌; 机械性能;
机译:使用GaN / AlN超晶格作为MOCVD生长的阻挡层的AlGaN / GaN异质结构中2DEG特性的研究
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r平面蓝宝石衬底上MOCVD生长a平面GaN膜的比较研究
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r面蓝宝石衬底上进行a面GaN膜的MOCVD生长的比较研究
机译:不同生长参数对MOCVD生长的不同生长参数对in_xga_(1-x)N / GaN膜的影响的结构研究
机译:通过新颖的衬底改性技术在GaN上进行GaN的MOCVD生长。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:用于LED制造的GaN,AlGaN和AlN层的生长:使用“热壁” MOCVD系统的生长条件研究
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在多孔氮化镓(GaN)模板上生长氮化铟镓(InGaN)
机译:金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在多孔氮化镓(GAN)模板上生长氮化铟镓(INGAN)
机译:用于GAN相关半导体晶体生长的MOCVD反应器设计
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