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本征层工艺参数对微晶硅太阳电池开路电压的影响

         

摘要

采用甚高频等离子化学增强气相沉积系统(VHF-PECVD)制备器件质量级本征微晶硅薄膜,研究薄膜的光电性质和结晶性质.结果表明:随硅烷浓度增加,薄膜材料的光敏性增加,晶化率减小;辉光功率增加,薄膜材料的光敏性减小,晶化率增加.将本征微晶硅薄膜应用到微晶硅薄膜太阳电池中,测试电池的I-V特性,获得开路电压.结果表明:硅烷浓度增加,电池的开路电压增加;辉光功率增加,电池的开路电压减小.

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