ZnO掺杂对PVK∶Ir(ppy)_3体系发光特性的影响

摘要

以无机纳米颗粒ZnO作为电子传输材料,并以不同质量比掺杂到PVK∶Ir(ppy)3体系作为发光层制成一系列磷光器件,器件结构为:ITO/PVK∶Ir(ppy)3∶ZnO(100∶1∶x)/BCP/Alq3/Al,ZnO的掺杂浓度x分别为0%,1%,2%,5%,10%,研究了它们的电致发光特性。结果表明:合适比例ZnO掺杂可以改善器件的发光特性,ZnO的最佳掺杂量为1%,此时器件的相对发光强度是未掺杂的器件的4倍,器件的启亮电压也由未掺杂时的15.5V降到了10.5V。当掺杂浓度较大时,电子传输过多在电极另一侧形成漏电流,没有在发光层内进行电子与空穴有效复合,没有对发光起到作用,导致器件的发光性能下降。