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罗尹虹; 郭红霞; 张凤祁; 姚志斌; 何宝平; 岳素格;
西北核技术研究所;
中国航天时代电子公司;
体硅0.6; μm工艺; 高剂量率; 总剂量效应;
机译:MOS和低剂量率敏感的线性双极型器件中的总电离剂量效应
机译:MoS 2 sub>-层间-MoS 2 sub>隧道结的总电离剂量效应和质子诱导的位移损伤
机译:摩尔定律在MOS器件中总电离剂量效应的演变
机译:一种评估MOS器件总剂量辐射效应的新方法
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:考虑损伤效应的压电微器件的后屈曲研究
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:mOs氧化物和器件中的总电离剂量效应
机译:CMOS器件针对总剂量辐射效应进行了硬化
机译:CMOS器件克服了总剂量辐射效应
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