改革硅平面晶体管常规工艺的研究

摘要

选用超高频小功率晶体管3DG15做工艺研究实验.实验的方法、结果及其分析如下.一、实验方法及结果1.基区低温氧化及硼扩散采用N/N^+型硅外延片:外延层厚度d外=9μ,电阻率ρ外=0.3～0.5Ω·cm,层错密度N层≤300个/cm^2.取Ⅰ、Ⅱ两批片,Ⅰ批片按常规工艺条件氧化。