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陈福元;
浙江大学功率器件研究所;
双极晶体管; 设计; 制造;
机译:深亚微米技术中新型横向双极型晶体管的设计与制造
机译:通过隧道二极管发射极设计减少双极型晶体管中的电流拥挤效应
机译:具有新颖发射极场板设计的碳化硅双极结型晶体管,具有高电流增益和可靠性
机译:4H-SiC双极结型晶体管和绝缘栅双极型晶体管的性能评估
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:L型隧道场效应晶体管中使用叠栅抑制双极电流的研究
机译:双极型晶体管的超高速集成电路设计方法研究
机译:接触金属化和封装技术开发用于siC双极结晶体管,piN二极管和肖特基二极管,专为350°C的长期工作而设计
机译:多极型双极结型晶体管,双极型CMOS DMOS器件,制造双极型双极结型晶体管的方法以及制造双极型CMOS DMOS器件的方法,包括高放大倍数和击穿电压
机译:具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译:多发射极型双极结型晶体管,双极CMOS DMOS器件,多极型双极结型晶体管的制造方法和双极CMOS DMOS器件的制造方法
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