退火温度对TiO_2薄膜结构、组分和光学性能的影响

摘要

利用射频磁控溅射,在硅和石英基底上制备了厚度为150 nm的TiO2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和光致发光谱(PL)等多种测试分析技术,研究退火温度对TiO2薄膜结构、组分及光学性能的影响。研究结果表明,未退火薄膜为无定型结构;随着退火温度的升高薄膜的金红石相含量逐渐增加,并沿(110)晶面择优取向。能隙也由退火前的3.03 eV逐渐增加到900℃退火后的3.18eV。对于TiO2薄膜催化活性最优的退火温度应为800℃。