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亓文杰; 李炳宗; 顾志光; 黄维宁; 董健民; 冯志华; 刘毓成;
复旦大学电子工程系;
中科院上海技术物理研究所;
快速退火; 固相反应; 硅化铂; 薄膜;
机译:Pt含量对快速热退火沉积在热氧化Si衬底上的Fe_(100-x)Pt_x薄膜的结构和磁性的影响
机译:通过新颖的两步快速热退火,将Si集成为相纯Y3Fe5O12(YIG)的硅集成超薄膜
机译:通过远程等离子体增强CVD和沉积后快速热退火制备的具有氮化的Si-SiO / sub 2 /界面的超薄氮化硅/氧化物堆叠栅极电介质的PMOSFET的性能和可靠性
机译:快速热退火(RTA)法研究NI-SI_(1-x)GE_x系统中的固相反应和热稳定性
机译:使用脉冲阴极电弧沉积和快速热退火制备C54钛硅化物薄膜。
机译:快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
机译:通过高电流密度离子束辐照和快速热退火方法制备的Fept薄膜的磁性和磁性相的形成;以及相应形成的Fept薄膜的相位形成和/或快速热退火方法制备的Fept薄膜的相形成
机译:(111)pt基底上快速热退火锆钛酸铅薄膜的取向
机译:固相反应热等离子体热解法制备Si / SiC复合纳米颗粒的方法
机译:使用快速退火在SiGe层上形成均匀的Ni(Pt)Si(Ge)接触
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