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龚裕才; 邹修庆;
重庆电子工业部第24研究所;
介质隔离; 集成电路; 硅; 硅片粘合; 绝缘体;
机译:反向硅片直接键合制备的准绝缘体上硅与常规绝缘体上功率金属氧化物半导体场效应晶体管的热载流子效应比较
机译:绝缘体上应变硅衬底上应用Ge缩合技术制备的高绝缘体绝缘硅锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:室温粘合硅在绝缘体晶片上,具有通过退火的沉积硅氧化层和表面活化粘合而形成的致密掩埋氧化物层
机译:绝缘体上的硅(SOI)和硅在绝缘体上的硅化物(SSOI),具有“智能切割”技术,用于设备应用研究
机译:高电阻率硅块体和绝缘体上硅片的表征。
机译:纳米岛上集成的基于消逝的硅片上硅片实验室和聚二甲基硅氧烷混合平台用于检测重组生长激素
机译:评估微液压传感器的关键问题:硅片粘合,绝缘膜上硅的强度和金锡焊料粘合
机译:sOI(绝缘体上硅)技术:器件应用和未来发展前景
机译:III-V在硅上的激光平台通过硅片通过硅片粘合剂粘合
机译:绝缘体上硅型混合微技术结构的制造方法,例如传感器,包括去除牺牲层以暴露混合层的表面,并通过直接粘合在表面上形成覆盖层
机译:通过多孔硅工程技术形成带图案的绝缘体上硅(SOI)/无硅上硅(SON)复合结构
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