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张娅; 杨成韬; 翟亚红; 赵鹏;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
深槽反应离子刻蚀(DRIE); 锆钛酸铅(PZT); 刻蚀速率;
机译:用于高频超声换能器的PZT陶瓷和PMN-PT单晶的深反应离子刻蚀
机译:SF_6等离子中溶胶-凝胶沉积的钛酸锆钛酸铅(PZT)薄膜的反应离子刻蚀
机译:Sol-Gel衍生的PZT薄膜和FRAM的Pt / Ti底电极的反应离子刻蚀
机译:深反应离子刻蚀中微加载效应使梳形执行器变形的模型研究
机译:基于原位X射线衍射的溶液沉积PZT薄膜中结晶的研究
机译:PZT薄膜的温度依赖性机械性能:纳米压痕研究
机译:深反应离子刻蚀形成的硼硅酸盐玻璃槽的轮廓控制
机译:sF6等离子体中反应离子刻蚀pZT薄膜的表面分析。
机译:通过深反应离子刻蚀制造微系统,包括例如:提供用于深反应离子刻蚀的刻蚀工具,进行包括刻蚀步骤的深离子刻蚀的多个重复处理间隔
机译:PZT PZT PZT薄膜层压板及生产PZT薄膜层压板的方法
机译:Mn PZT Mn PZT MN掺杂的PZT压电薄膜形成成分和MN掺杂的PZT压电薄膜组成
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