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娄建忠; 贾长江; 郝华; 张二鹏; 史守山; 闫小兵;
河北大学电子信息工程学院;
阻变开关; IGZO薄膜; Ag电极; 开关机制;
机译:Zr 0.5 sub> Hf 0.5 sub> O 2 sub>薄膜中具有高透明性的双极电阻开关存储器,该薄膜以非晶态In-Ga-Zn-O电极为电极
机译:具有直接接触式不对称石墨烯电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的物理特性
机译:沉积在非晶In-Ga-Zn-O表面上的Ag薄膜的光电子能谱研究
机译:器件特性从薄膜晶体管的准静态电容电压特性开始-低温和高温多晶硅,非晶In-Ga-Zn-O,ZnO,聚合物-
机译:表征和建模非晶In-Ga-Zn-O薄膜中的瞬态光电导。
机译:纳米粒子和铜电极中诱导金属增强非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的迁移率
机译:具有不对称石墨烯电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管中的栅极电压和漏极电流应力不稳定性
机译:缺陷态空间位置对非晶硅和多晶硅薄膜晶体管开关特性的影响:amps 2-D的数值模拟
机译:在薄膜表面(Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4上生产含Ag晶须的方法
机译:含氮非晶碳型薄膜,非晶碳型层合薄膜和滑动构件
机译:变阻非易失性存储元件的写入方法及变阻非易失性存储装置
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