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潘乃琦; 胡荣中; 林叶;
南京电子器件研究所;
砷化镓; 变容二极管; 设计;
机译:电物理和光致发光的研究超晶格{LT-砷化镓/砷化镓为Si},通过分子束外延在GaAs衬底上生长具有(100)取向和(111)A
机译:利用双电子束横向声电电压谱研究高电阻率的砷化镓表面和砷化镓/氧化物界面
机译:用不同方法合成的三甲基镓的电神法特征在砷化镓外延层的电神法特征中研究电活性杂质的影响
机译:室温下高纯砷化镓中激子电吸收的实验和理论研究
机译:砷化铝镓/砷化镓异质结横向双极磁场敏感器件的数值和实验研究。
机译:砷化镓砷酸镓合金的禁带抗穿越模型
机译:锗和砷化镓的电反射和电子能带结构的研究
机译:含有和不含超导栅电极的砷化铝镓/砷化镓高电迁移率晶体管噪声性能的比较研究
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
机译:砷化镓基质的制备方法,砷化镓基质及其使用以及表征砷化镓基质表面性质的方法
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