专利名称：一种一模多件高SiC体积分数结构件成形及模具设计方法

摘要

本发明属于金属材料成形领域，提供了一种制备高SiC体积分数复合材料结构件半固态锻挤成形一模多件工艺技术及模具设计。其特征是用SiC颗粒增强A359铝合金复合材料采用一次成形多件的方式通过半固态触变成形得到的高SiC体积分数的封装壳体结构件。