NTD CZ-Si辐照缺陷与O、C杂质相互作用对电学性能的影响

摘要

本文研究了中子嬗变掺杂直拉硅(NTD CZ-Si)经800℃退火后辐照缺陷与O、C杂质相互作用对单晶电学性能的影响,发现了750℃退火“平台”现象,并对辐照施主(ID)的产生机理和电学性能等给予了理论解释,对NTD CZ-Si应用于大规模、超大规模集成电路和半导体器件制作具有重要意义。