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第一章绪论
§1-1引言
§1-2硅中的氧及其施主效应
1-2-1硅中氧的基本性质
1-2-2硅中氧的施主效应
1-2-3硅中氧的扩散
§1-3半导体中的辐照缺陷
1-3-1辐照缺陷产生的机理
1-3-2位移损伤缺陷的性质
§1-4位移损伤缺陷对硅宏观电学参数的影响
1-4-1点缺陷的电荷复合模型
1-4-2缺陷团的空间电荷模型
§1-5辐照对氧的影响及其对缺陷的控制与利用
1-5-1辐照对氧沉淀的影响
1-5-2辐照对硅中氧扩散的影响
1-5-3直拉硅中辐照缺陷的控制与利用
§1-6本文工作主要研究内容
参考文献
第二章快中子辐照直拉硅的电学性能研究
§2-1引言
§2-2实验过程
§2-3实验结果与讨论
2-3-1不同温度热处理后电阻率的变化
2-3-2 650℃预处理对热施主生成的影响
2-3-3 1200℃ RTP预处理对热施主生成的影响
§2-4小结
参考文献
第三章快中子辐照直拉硅中VO的研究
§3-1引言
§3-2实验过程
§3-3实验结果与讨论
3-3-1快中子辐照CZ-Si的FTIR研究
3-3-2低温热处理辐照缺陷VO的转化
3-3-3不同剂量快中子辐照对VO退火行为的影响
3-3-4快中子辐照CZ-Si的PAS研究
§3-4小结
参考文献
第四章快中子辐照直拉硅中VO2的研究
§4-1引言
§4-2样品及实验方法
§4-3实验结果与讨论
4-3-1 VO2复合体的退火行为研究
4-3-2高剂量快中子辐照对VO2的抑制
§4-4小结
参考文献
第五章快中子辐照硅中V2的退火行为研究
§5-1引言
§5-2样品与实验过程
§5-3结果与讨论
5-3-1快中子辐照区熔硅中V2的退火行为研究
5-3-2快中子辐照直拉硅中V2的退火行为研究
§5-4小结
参考文献
第六章结论
致谢
攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果