表面处理与离子注入对GaN HEMT肖特基特性的影响

摘要

研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响。在栅金属化前,采用不同的表面处理方法进行实验,发现通过表面处理,栅肖特基特性得到一定的改善,但还不能从根本上解决漏电大、理想因子偏高的问题。进一步实验发现,硼离子注入才是导致栅肖特基特性变差的主要因素,通过对离子注入的优化,器件栅金属化后的理想因子减小到1.6,栅源反向电压为-20 V时,反向泄漏电流为2.8×10-6A。