采用MPCVD法在硅衬底上选择性生长金刚石膜(英文)

摘要

采用微波等离子体化学气相沉积（ MPCVD）法在附有 SiO2掩摸的硅衬底上选择性沉积出 了金刚石膜。采用扫描电子显微镜（ SEM）和 Raman光谱仪对金刚石膜的表面形貌和结构进行 了表征 ,并讨论了衬底温度对金刚石薄膜选择性沉积的影响，得出了较佳的沉积条件。