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黄庆安; 童勤义;
东南大学微电子中心;
朗曼谱; 测量; 氮化硅; 砷化镓; 应力;
机译:用不同应力状态的PECVD氮化硅膜钝化GaAs FET
机译:通过PECVD沉积用于InGaP / GaAs HBT应用的具有1000 A氮化硅层的MIM电容器
机译:PECVD低应力氮化硅分析和CMUT器件制造的优化
机译:PECVD氮化硅氮化硅的工程和外平面应力,用于CMOS兼容的表面微机械
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:离子电渗透上皮角膜胶原交联中的基质辅助激光解吸/电离和应力应变测量成像质谱。
机译:pECVD氮化硅沉积法作为mIm电容器介质对Gaas HBT工艺的影响
机译:利用气动和充油多通道波数滤波器直接测量模式O湍流边界层壁面压力和壁面剪切应力谱
机译:使用后PECVD沉积UV固化增加氮化硅膜拉伸应力的方法
机译:通过PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
机译:PECVD后UV固化提高氮化硅薄膜拉伸应力的方法。
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