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黄平; 李婧; 梁建; 赵君芙; 马淑芳; 许并社;
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;
太原理工大学物理系;
太原理工大学材料科学与工程学院;
电化学沉积; CdSe薄膜; 禁带宽度; 沉积电压;
机译:CdSe量子点敏化的TiO2纳米管薄膜的制备,表征及其光电性能
机译:CdSe和CdSe / TiO_2掺杂的聚酰亚胺的光电性能的制备与表征
机译:SB_2SE_3薄膜太阳能电池脉冲激光沉积CDSE窗层的制备与表征
机译:能量密度和衬底温度对脉冲激光沉积制备的CdSe薄膜结构和光学性能的影响
机译:纳米多孔,离子,溶液液晶聚合物膜:永久性孔改性,离子交换性能的表征,以及超薄薄膜的制备
机译:压电纳米填料掺杂的聚(乙烯-乙酸乙烯-乙酸乙烯酯)复合薄膜的制备表征和性能
机译:聚合物薄膜的制备,表征和性能及其在种子包衣中的潜在应用。聚合物薄膜的制备,表征和性能及其在种子包衣中的潜在应用
机译:电极化薄膜热介电性能的制备与表征研究。最后总结报告,1989年6月19日至8月11日。
机译:CdSe-CdSe-制备基于甘醇二甲醚溶剂的包含CdSe核的核-壳结构的方法以及由其制备的核-壳结构
机译:CeO2-TiO2薄膜电极的制备,表征及光化学性能
机译:基于糖胶溶剂制造包含CDSE核的核心-壳结构的方法,以及包含其制备的包含CDSE核的核心-壳结构的方法
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