栅压对LDMOS在异常大电流下工作的影响

摘要

研究LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响。结果表明,有源区电流密度、功率密度和温度都随正栅压升高而增加,证明LDMOS在栅接地时比栅不接地时具有更好的静电放电能力。