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邹元爔;
中国科学院上海冶金研究所;
结构缺陷; 光谱法; 深能级缺陷; 受主能级; 液相外延; GaAs; 砷化镓; 砷化物; 化合物;
机译:运输中硅,砷化镓,砷化铟镓热载流子和半导体的GaN亚微米结构与辐射缺陷纳米尺寸簇
机译:第一性原理的变化计算了砷化镓中的缺陷能及其对实际预测的影响
机译:硅基砷化镓薄膜中结构缺陷对预层形成的依赖性的透射电镜研究
机译:用于减少(100)砷化镓上砷化铟生长的缺陷减少和微结构控制的基板工程。
机译:校正:PanJ.L.向砷化镓深中心激光器进展。材料200921599-1635
机译:水平布里奇曼法研究砷化镓化合物半导体的深电子能级
机译:砷化镓点缺陷结构的正电子谱研究
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
机译:烷基化镓和砷化合物在低温下生产砷化镓前体铁的方法
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