用DBD-PECVD方法合成碳纳米管

摘要

在大气压、较低温度下合成碳纳米管(CNTs),对于大规模的工业生产具有重要的意义。本文介绍了一种介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBDPECVD)的方法,并利用该方法制备碳纳米管。实验是在约0.5个大气压、700℃下,通入氢气和甲烷的混合气体(CH4/H2为1∶10～1∶20),产生DBD等离子体;衬底为硅片;催化剂是用磁控溅射制备的Ni/Al薄膜,厚度分别为3nm和10nm。在扫描电镜下观察发现,碳纳米管的生长符合底端生长模式。在透射电镜下观察,碳纳米管没有竹节状结构。拉曼光谱分析表明,这种碳纳米管的结构缺陷比较多。