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蒋幼泉;
南京电子器件研究所;
AuTi/AuGe; 欧姆接触; 俄歇电子能谱;
机译:Ni / AuGe / Pt / Au中Pt扩散阻挡层对与n-GaAs欧姆接触的影响
机译:通过测量转移长度和在接触薄层电阻下表征与n掺杂GaAs合金化的AuGe / Ni / Au欧姆接触的特性
机译:镍层厚度对AuGe / Ni / Au欧姆接触GaAs / AJGaAs异质结构的磁性能和接触电阻的影响
机译:各种合金循环对P-HEMT的Auge / Ni / Au欧姆接触的影响
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:具有合金化AuGe / Ni触点的GaAs / AlGaAs量化霍尔电阻的性能下降
机译:GaAs / AlxGa1-xAs异质结构中二维电子气的AuGe / Ni / Au欧姆接触的退火机理
机译:具有扩散阻挡层的n-Gaas的稳定的固相欧姆接触
机译:用于GaAs和GaAlAs的Ni-Ge-Au欧姆接触
机译:与n-GaAs的Si / Au / Ni合金欧姆接触及其制造工艺
机译:GaAs和GaAℓAs的欧姆接触
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