一种高压快速BiCMOS模拟开关的设计

摘要

本文详细介绍了一种高压快速ＢｉＣＭＯＳ模拟开关的电路设计原理及版图优化设计。在模拟开关的基准源和电平转换部分均采用ＢｉＣＭＯＳ设计技术，使得该模拟开关在较长沟道长度下也能实现５０ｎｓ以下的开关速度。同时通过对开关管版图的优化设计，使开关导通电阻小于５０Ω。