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Masakazu Adachi; Hiroshi Shioyama; Masaki Narisawa; Shigeru Ikeda; kuniaki Tatsumi; Isao Souma; Hideo Isozaki; kazunori Egawa; Hirofumi Kyutoku; Takesi Tanamura; 刘培桐;
石墨; 电导率; 温度;
机译:重掺杂多晶硅的电阻率和电阻率温度系数的物理模型
机译:人造石墨产品的电阻率与温度的关系随晶体结构的变化
机译:电阻率与石墨烯中电子密度和温度的关系
机译:石墨/金刚石纳米复合材料和类似洋葱的碳的电阻率,负磁电阻率和正磁电阻率的温度依赖性
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:建立导体的电阻率温度和膜厚之间的理论关系
机译:多晶石墨电阻率的温度依赖性在900k-2800k的范围内
机译:石墨插层化合物C轴电阻率和热电势的温度依赖性
机译:确定温度高达2800k的半导体,复合材料的热导率系数的方法
机译:研究反应器的时钟电阻率与温度的关系VYSOKOREZISTORNYH对象
机译:石墨烯温度和石墨烯等级以及控制石墨烯温度的温度和温度分布的测量方法
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