背景电荷对单电子晶体管性能的影响及解决方法

摘要

在分析单电子晶体管(SingleElectronTransistor,SET)I-V特性基础上,阐明了背景电荷对SETI-VGS特性和I-VDS特性的影响,并针对SET工作的不同情况,提出了解决背景电荷问题的几种不同方法。举例说明了其中的一种抑制SET积分器电路背景电荷的方法,仿真结果证实了其有效性。文中所提出的解决背景电荷问题的方法同样适用于其它SET电路。