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CVD外延锗锡及其光电探测器最新研究进展

         

摘要

锗锡具有吸收系数高、直接带隙发光效率高、可用CVD生长、器件制备与硅工艺兼容等优势,是非常重要的硅基光电子材料。锗锡CVD生长技术及其探测器在理论意义和长远的军民用价值,受到欧美军事部门及政府机构的广泛资助。综述了锗锡CVD生长技术的研究历史、生长难点与发展趋势。基于CVD技术生长的锗锡,并结合锗锡探测器的发展史,探讨了高性能锗锡探测器在短波红外(SWIR)、中波红外(MWIR)和长波红外(LWIR)波段应用所面临的关键科学问题,强调了锗锡单光子雪崩光电二极管(SPAD)的优势及其在量子计算、激光雷达和无人驾驶等领域的应用前景。

著录项

  • 来源
    《微纳电子与智能制造》 |2021年第1期|P.129-135|共7页
  • 作者单位

    中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心 北京100029广东省大湾区集成电路与系统应用研究院光电集成电路研发中心 广州510535;

    中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心 北京100029广东省大湾区集成电路与系统应用研究院光电集成电路研发中心 广州510535;

    中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心 北京100029;

    中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心 北京100029;

    广东省大湾区集成电路与系统应用研究院光电集成电路研发中心 广州510535山西师范大学物理与信息工程学院 临汾041000;

    广东省大湾区集成电路与系统应用研究院光电集成电路研发中心 广州510535西安工业大学陕西省薄膜技术与光学监测重点实验室 西安710032;

    中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心 北京100029广东省大湾区集成电路与系统应用研究院光电集成电路研发中心 广州510535;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 波导光学与集成光学;
  • 关键词

    锗锡; CVD; 探测器; 硅工艺兼容;

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