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王万斌; 张小玲; 谢雪松; 王俊浩;
北京工业大学信息学部;
北京100124;
SiC MOSFET; 热不稳定性; 阈值电压; 电子迁移率; 陷阱效应;
机译:SiC功率MOSFET中的热不稳定性效应
机译:在单脉冲自热条件下进行SiC外延功率二极管的动态表面温度测量
机译:在窄电流脉冲条件下评估15-kV SiC MOSFET和20-kV SiC IGBT的长期可靠性和过流能力
机译:高重复脉冲电流条件下SiC功率MOSFET的可靠性
机译:基于SiC MOSFET的Megahertz高压隔离直流/直流转换器
机译:SiC MOSFET的400 V微型直流固态断路器的设计
机译:故障条件下的垂直SiC功率MOSFET的结构基于结构的热模型描述
机译:4H-sIC垂直D-mosfet的脉冲功率开关及器件表征
机译:P SiC SiC MOSFET用P掺杂粉末制造SiC MOSFET的方法和用该方法制造的SiC MOSFET
机译:半导体器件和形成低压功率MOSFET的方法,使用石墨烯作为金属层,石墨烯纳米带作为硅、GAN、SIC衬底上功率垂直和横向MOSFET的沟道和漏增强区,或Diamond将窄带隙工程与宽带隙工程相结合,在电力半导体行业实现节能设备和环境进步
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