低阈值单模工作的横向结条形GaAlAs激光器

摘要

试制了两种横向结条形（TJS）激光器结构。一种是n—GaAS衬底的TJS激光器,另一种是隐埋P区TJS激光器。两种器件的有源区由夹在两个异质结之间的GaAS扩散同质结P+-P-N的二维波导构成,并且该种结构的二维波导可以做得很小,在室温连续阈值电流以上的很宽注入电流范围内获得了单纵模和基横模工作,而且横模几乎与注入电流无关。在脉冲工作下,直到三倍阈值电流下仍以单纵模工作。由于隐埋部区TJS激光器采用了双自反偏压结构,更有效地限制了分流效应,使室温连续工作阈值电流低至15mA。