一种高偏振单模横向发光纳米带激光器及其制备方法

摘要

本发明公开一种高偏振单模横向发光纳米带激光器，包括基底和放置在基底上的半导体纳米带；所述的半导体纳米带表面具有用于横向发光的微结构。本发明还公开上述高偏振单模横向发光纳米带激光器的制备方法，包括：通过化学气相沉积法制备半导体纳米带，将制备的半导体纳米带放置于基底上，将基底置于荧光显微镜光泵浦系统中，采用脉冲激光光源做为泵浦光对半导体纳米带进行激发，由所述半导体纳米带出射由低阈值横向光。本发明采用化学气相沉积法，实现单步骤批量生长制备独特纳米带结构，利用荧光显微系统对纳米带结构进行泵浦激发，可获得同时具有高偏振特性、单模特性和低阈值特性的横向发射激光。