金属薄膜的电迁移激活能

摘要

电迁移过程中试样内非平衡缺陷的积累使电阻增大,其电阻变化率为:d（ΔR/R0）/dt=cmj~2ρ3/2Zi*eD0/λ1/2kT exp（-Q/kT）和d（ΔR/R0/dt）=c1mj~2ρ3/2Zi*eD0（2（T-Te）+α（T-Te）~2）1/2/λ1/2kT exp（-Q/kT） 用此二式可精确确定金属薄膜的电迁移激活能。用第一式确定的Al-3.2%Cu合金薄膜的电迁移激活能Q=0.65±0.04eV;用第二式处理Hummel的实验结果,则纯Al薄膜的Q值与原作者一致。