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高台型GaAs—AlxGa1-xAs双异质结激光器的液相外延

     

摘要

<正> 一.引言对于 AlGaAs 双异质结激光器,用液相外延的方法,可以生长出性能十分良好的多层外延片。用此方法,我们在 GaAs 单晶衬底上制备了包括四层结构(n 型 AlxGa*(1-x)As,P 型 AlYGa1-YAs 和 P 型 GaAs)的双异质结构注入型激光器。去年我们制作出能连续工作的激光器,其寿命很短,只几分钟,且性能不稳定。经分析认为,是外延片质量不

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  • 来源
    《半导体光电》|1979年第3期|9-15|共7页
  • 作者

    周子新;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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