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高鼎三; 石家纬;
吉林大学;
机译:金属-半导体-金属光电探测器对InGaAs / GaAs-on-GaAs超晶格的终身有限超快响应
机译:InAsBi的光学性质及晶格匹配和应变平衡的Ⅲ-Ⅴ族半导体超晶格的优化设计
机译:过渡半导体在半金属中红外光电子器件Ⅱ型纳米结构超晶格中的应用
机译:氧化物-半导体界面对II型混合超晶格长波红外光电二极管钝化的影响
机译:固体理论研究:(1)半导体超晶格的光学性质。 (2)半导体量子阱中的俄歇复合。
机译:非对称梯度带隙半导体超晶格的能图计算
机译:III-V半导体和半导体超晶格的电子性质研究
机译:微观结构对6.1埃 - 晶格常数III-V超晶格光电性质影响的光学研究
机译:II-VI族超薄半导体层,II-VI族半导体超晶格结构,包含该超晶格结构的光电器件及相关方法
机译:用于辐射产生或辐射检测的光电子半导体芯片具有超晶格,该超晶格是由在有源层或边界层中形成的混合晶体成分的薄层的周期性序列制成的
机译:制造包括垂直集成的光电和电子器件并包括超晶格的半导体器件的方法
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