化学减薄对外延层位错的影响

摘要

＜正＞ 在半导体器件制造中,一般说来,半导体晶体中的位错过多,会使器件性能变坏,这是由于位错提供了杂质沉积的核心,从而造成微等离子击穿,使p-n结反向击穿特性变软,漏电流显著增加,严重时还会形成p-n结上的漏电沟道使器件报废;位错线上的杂质增强扩散,还会形成浅结时的E-C管道;在一般情形下,也会形成基区陷落效应;位错还是噪声源……。凡此种种,都是器件制造者不希望的。所以,制备低位错的外延片对于提高器件的性能是非常必要的。