CMOS电路中的寄生可控硅现象

摘要

＜正＞ 一、前言 在CMOS电路的测试和使用过程中,存在着莫明奇妙的电路被烧毁的现象。对被损坏的电路进行解剖分析,发现属于VDD-Vss间开路的数量在一半左右,其余一半是输入端损伤。这究竟是什么原因造成的呢? 带着这个问题,查阅了CMOS电路失效机理的国外文献,并对CMOS电路进行了实际测试和分析,发现这种电路损坏的原因是由于CMOS电路内部寄生的可控硅触发后引起的。为此对寄生可控硅的结构进行了分析测量,并画出了它们的等效电路,在此基础上对可能引起寄生可控硅触发的条件进行了剖析和试验,