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抛光方法对硅片表面Na、Ca、Fe杂质及有关电性参数的影响

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＜正＞文章简要地介绍了国内外的同行业对抛光硅片表面所作的大量测试分析工作,着重介绍用MOS高频C-V测试、二极管平面结特性测试和离子探针分析器对SiO2溶胶抛光、Cu离子/SiO2溶胶抛光、Cu离子抛光和Cr离子抛光等工艺制作的硅片表面进行的测试分析和比

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来源
《半导体技术》 |1982年第1期|62-62|共1页
作者
黄启成; 方育均;
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